基础电子学 - 晶体管的类型

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使用的晶体管有多种类型。每个晶体管都有其专门的应用。主要分类如下。

主要晶体管是 BJT，而 FET 是晶体管的现代版本。让我们看一下 BJT。

双极结型晶体管

双极结型晶体管，简称为BJT，因其具有两个 PN 结而得名。这个 BJT 只不过是一个普通的晶体管。它有NPN和PNP两种结构。通常为了方便起见，首选NPN晶体管。下图显示了实用的 BJT 的样子。

BJT的类型有NPN和PNP晶体管。NPN 晶体管是通过将 p 型材料放置在两种 n 型材料之间制成的。PNP 晶体管是通过将 n 型材料放置在两个 p 型材料之间制成的。

BJT 是一种电流控制器件。我们在前面的章节中讨论过的普通晶体管就属于这一类。功能、配置和应用程序都是相同的。

场效应晶体管

FET 是一种三端单极半导体器件。它是一种电压控制器件，与双极结型晶体管不同。FET 的主要优点是它具有非常高的输入阻抗，约为兆欧级。它具有低功耗、低散热、FET 是高效器件等诸多优点。下图显示了实用 FET 的外观。

FET 是一种单极器件，这意味着它是使用 p 型或 n 型材料作为主要衬底制成的。因此，FET 的电流传导是由电子或空穴完成的。

场效应管的特点

以下是场效应晶体管的各种特性。

• 单极- 它是单极的，因为空穴或电子负责传导。

• 高输入阻抗− FET 中的输入电流由于反向偏置而流动。因此它具有高输入阻抗。

• 电压控制器件- 由于 FET 的输出电压由栅极输入电压控制，因此 FET 被称为电压控制器件。

• 噪声低- 传导路径中不存在结点。因此，噪声比 BJT 低。

• 增益的特征是跨导。跨导是输出电流变化与输入电压变化的比率。

• FET 的输出阻抗较低。

场效应管的优点

要选择 FET 而不是 BJT，使用 FET 而不是 BJT 应该没有什么优势。让我们尝试总结一下 FET 相对于 BJT 的优势。

场效应管的应用

• 电路中使用 FET 可以减少负载效应。

• FET 用于许多电路，例如缓冲放大器、相移振荡器和电压表。

场效应管端子

虽然 FET 是三端子器件，但它们与 BJT 端子不同。FET 的三个端子是栅极、源极和漏极。FET 中的源极端子类似于 BJT 中的发射极，而栅极类似于基极和漏极到集电极。

NPN 型和 PNP 型 FET 的符号如下所示

来源

• 场效应晶体管中的源极端子是载流子进入沟道的地方。

• 这类似于双极结型晶体管中的发射极端子。

• 源终端可以指定为S。

• 在源端进入通道的电流表示为 IS。

门

• 场效应晶体管中的栅极端子通过控制流经通道的电流，在 FET 功能中发挥着关键作用。

• 通过在栅极端施加外部电压，可以控制通过它的电流。

• 栅极是内部连接的两个重掺杂端子的组合。

• 沟道电导率据说是由栅极端子调制的。

• 这类似于双极结型晶体管中的基极端子。

• Gate 终端可指定为G。

• 进入栅极端子通道的电流表示为 IG。

流走

• 场效应晶体管中的漏极端子是载流子离开沟道的地方。

• 这类似于双极结型晶体管中的集电极端子。

• 漏源电压指定为 VDS。

• 漏极端子可指定为D。

• 在漏极端子离开通道的电流表示为 I _D。

场效应管的类型

FET 有两种主要类型。它们是 JFET 和 MOSFET。下图给出了 FET 的进一步分类。

在后续章节中，我们将对JFET和MOSFET进行详细讨论。